在當(dāng)今日美壟斷l(xiāng)ed芯片核心技術(shù)的格局下，中國led企業(yè)如何攻破格局，實(shí)現(xiàn)技巧攻堅(jiān)，促進(jìn)led發(fā)展顯得尤為重鹵素?zé)?/a>要。目前，led襯底類別包括藍(lán)寶石、碳化硅、硅以及被稱為第三代半導(dǎo)體資料的氮化鎵。
與傳統(tǒng)襯底材料比較，氮化鎵具備禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽跟漂移速度高、抗輻射才干強(qiáng)跟良好的化學(xué)牢固性等優(yōu)越特點(diǎn)，是迄今實(shí)際上電光、光電轉(zhuǎn)換效率最高的資料體系。時(shí)至本日，氮化鎵襯底絕對(duì)藍(lán)寶石、碳化計(jì)數(shù)器硅等襯底的性能優(yōu)勢不問可知，最大艱苦在于價(jià)格過高。
厚膜的襯底產(chǎn)品方面：產(chǎn)品有10～50微米的不同規(guī)格，常用的是20～30微米。位錯(cuò)密度在107cm～3量級(jí)，根據(jù)不同的技能參數(shù)可分為兩種即n型摻雜與半絕緣。n型摻雜主要運(yùn)用于led等光電器件，半絕緣主要利用于電力電子、微波器件上。
自支持氮化鎵襯底方面：位錯(cuò)密度在105cm-3量級(jí)，根據(jù)不同的技巧參數(shù)分為三種，即n型摻雜、半絕緣與非摻雜。n型六反相器氮化鎵，重要應(yīng)用于led、激光器方面半絕緣則應(yīng)用于高功率微波器件或大電流高電壓的開關(guān)上。非摻雜即高純度氮化鎵，在探測器上的運(yùn)用較為廣泛，懇求材料的電子濃度越低越好。納維非摻雜氮化鎵產(chǎn)品，x射線半峰寬為50秒、半峰寬為80秒左右，塊體材料的電子遷徙率超過1計(jì)算機(jī)電纜500cmv-1s-1，處于國際前列水平。納維是國際上可能生產(chǎn)銷售氮化鎵自支撐晶片的少數(shù)多少個(gè)單位之一。
hvpe法成長gan自支撐襯底
hvpe主要是金屬鎵、氯化氫、氨氣，金屬鎵和氯化氫發(fā)生反應(yīng)，生成氯化鎵，氯化鎵在200℃后變成氣體，以這個(gè)為原材料，進(jìn)而通過在襯底名義上與氨氣反應(yīng)變成氮化鎵。hvpe這種生成方法，在名義的化學(xué)飽跟度非常高，因此，其成長速度無比快，比mocvd的成長速度快50～100倍光傳感器，它一個(gè)小時(shí)能夠成長200～300個(gè)微米，可以在短時(shí)間內(nèi)把這個(gè)材料變成高品德的氮化鎵，這是它的一個(gè)特點(diǎn)。
未來5年，氮化鎵的價(jià)格將下降10～20倍，4～6寸進(jìn)入市場
當(dāng)初led盛行的風(fēng)潮下，氮化鎵作為半導(dǎo)體發(fā)光二極管應(yīng)用于led照明也已經(jīng)在中國發(fā)展得風(fēng)起云涌。氮化鎵襯底上的同質(zhì)外延與藍(lán)寶石襯底上的異質(zhì)外延，單從技能角度上講，異質(zhì)外延毛病密度比同質(zhì)外延的氮化鎵高出2～3個(gè)數(shù)量級(jí)氮化鎵存在導(dǎo)電的特點(diǎn)，能夠做成垂直結(jié)構(gòu)的芯片，這樣，外延片的利用面積比藍(lán)寶石的提高1.5倍做成垂直結(jié)構(gòu)之后，氮化鎵上電流密度可能很高，冀望一個(gè)氮化鎵襯底上的芯片可以抵十個(gè)藍(lán)寶石襯底上的芯片。美國的sorra跟日本的ngk已經(jīng)開始大力開發(fā)這類芯片，并取得主要沖破，達(dá)到同樣亮度，氮化鎵襯底上制作的led能耗比傳統(tǒng)芯片低一半以上。